Хабрахабр: Коллективные / Блоги / Захабренные Голосов: 10 Адрес блога: http://habrahabr.ru/blog/ Добавлен: 2007-10-24 18:05:40 блограйдером Robin_Bad

Железо / Память следующего поколения

2011-07-14 16:22:54 (читать в оригинале)



Flash-память остается доминирующим видом энергонезависимой (то есть сохраняющей информацию в отсутствии электрического тока) памяти благодаря широкому использованию в твердотельных накопителях (SSD) и привычных каждому USB флеш-накопителях. Но, несмотря на ее популярность и повсеместное использование, технология все еще остается проблемной, особенно если норма производства опускается ниже 30нм-процесса — скорость работы флеш-памяти снижается. Вдобавок к этому — ограниченное количество циклов записи-стирания и относительно низкая скорость самой записи (в миллисекундах). Из-за всех этих ограничений, исследователи уже давно ищут эффективную замену флеш-памяти для производства вышеупомянутых продуктов.

В настоящий момент существует несколько альтернативных разработок, которые вполне могли бы заменить кремниевую флеш-память, такие как PRAM (phase-change RAM), FeRAM (ferroelectric RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) и RRAM (resistance-change RAM). Однако до сегодняшнего дня ученым различных университетов и компаний так и не удалось успешно применить текущую технологическую норму в производстве памяти по любой из этих технологий — либо механизм переключения режимов, либо сама платформа теряет эффективность и скорость на уровне «нано». Плюс к этому, ни одной из этих разработок не хватает таких важных в коммерческом производстве характеристик, как увеличение циклов записи-стирания (по-сравнению с флеш-памятью), долгосрочности хранения данных в отсутствии тока и высокой скорости переключения между режимами чтения/записи. Именно качественный и количественный рост этих показателей считается основным требованием в разработке энергонезависимой памяти следующего поколения.

А еще, не развлечения ради, исследователи планируют заменить эту технологию целиком. Совместная группа ученых из Samsung и корейского Sejong University недавно опубликовали занятную публикацию в журнале Nature Materials, описывающую новую технологию производства RRAM (resistance-change RAM это технология, позволяющая менять напряжение ячеек так, что ее состояние меняется с низкого сопротивления (высокая проводимость) на высокое сопротивление (низкая проводимость)) из оксида тантала (TaO_x), который в тестах показал огромное преимущество над существующими технологиями, побив результаты почти по всем пунктам.