Компания Samsung Electronics Co. объявила о запуске в массовое производство микросхем памяти DRAM для мобильных устройств емкостью 3 Гбайт. Это - самая последняя разработка компании, которая отличается наиболее плотным размещением ячеек памяти на кристалле. Конструкционно решение представляет собой два сэндвич-пакета по три блока гигабитных микросхем, изготовленных по техпроцессу 20 нм.
samsung-3gb-phone-ram.jpg
читать дальше