Хабрахабр: Коллективные / Блоги / Захабренные Голосов: 10 Адрес блога: http://habrahabr.ru/blog/ Добавлен: 2007-10-24 18:05:40 блограйдером Robin_Bad

Android / [Ссылка] «To root or not to root» или зачем «ломать» свой телефон на Android

2011-07-14 18:32:01 (читать в оригинале)

В среде хакеров-фанатов Android после выхода очередного нового телефона происходит своеобразное соревнование – кто быстрее сможет обойти защиту и взломать телефон. То есть получить права администратора-root. Безусловно, подобный взлом чаще всего, хотя и не всегда, означает потерю гарантии на телефон. Поэтому «рутовать» смартфон стоит лишь взвесив все за и против. В статье приведено несколько аргументов за root

---

Планшеты / 7 главных преимуществ HP TouchPad перед iPad 2

2011-07-14 17:58:21 (читать в оригинале)



Главный вопрос, который будоражил умы многих пользователей после февральского анонса HP TouchPad: каким образом планшет от Hewlett-Packard сможет противостать такому известному и раскрученному девайсу, как iPad 2 от Apple? По утверждению многочисленных IT-изданий, в руках у которых побывал HP TouchPad, его нельзя назвать однозначным победителем, но завидный арсенал функций первого webOS-планшета позволяет сделать выбор в именно его пользу.

---

DIY или Сделай Сам / Лого тостер за 5 минут

2011-07-14 17:39:09 (читать в оригинале)



Увидел я вот такой тостер. И загорелся сделать что то подобное своими руками. Для того чтобы каждое утро радовать своих близких разными картинками на тостах. Оказалось, что это довольно таки просто.
Нам понадобится: алюминиевая банка, и простые инструменты.

---

Железо / Память следующего поколения

2011-07-14 16:22:54 (читать в оригинале)



Flash-память остается доминирующим видом энергонезависимой (то есть сохраняющей информацию в отсутствии электрического тока) памяти благодаря широкому использованию в твердотельных накопителях (SSD) и привычных каждому USB флеш-накопителях. Но, несмотря на ее популярность и повсеместное использование, технология все еще остается проблемной, особенно если норма производства опускается ниже 30нм-процесса — скорость работы флеш-памяти снижается. Вдобавок к этому — ограниченное количество циклов записи-стирания и относительно низкая скорость самой записи (в миллисекундах). Из-за всех этих ограничений, исследователи уже давно ищут эффективную замену флеш-памяти для производства вышеупомянутых продуктов.

В настоящий момент существует несколько альтернативных разработок, которые вполне могли бы заменить кремниевую флеш-память, такие как PRAM (phase-change RAM), FeRAM (ferroelectric RAM), MRAM (magnetoresistive RAM) и RRAM (resistance-change RAM). Однако до сегодняшнего дня ученым различных университетов и компаний так и не удалось успешно применить текущую технологическую норму в производстве памяти по любой из этих технологий — либо механизм переключения режимов, либо сама платформа теряет эффективность и скорость на уровне «нано». Плюс к этому, ни одной из этих разработок не хватает таких важных в коммерческом производстве характеристик, как увеличение циклов записи-стирания (по-сравнению с флеш-памятью), долгосрочности хранения данных в отсутствии тока и высокой скорости переключения между режимами чтения/записи. Именно качественный и количественный рост этих показателей считается основным требованием в разработке энергонезависимой памяти следующего поколения.

А еще, не развлечения ради, исследователи планируют заменить эту технологию целиком. Совместная группа ученых из Samsung и корейского Sejong University недавно опубликовали занятную публикацию в журнале Nature Materials, описывающую новую технологию производства RRAM (resistance-change RAM это технология, позволяющая менять напряжение ячеек так, что ее состояние меняется с низкого сопротивления (высокая проводимость) на высокое сопротивление (низкая проводимость)) из оксида тантала (TaO_x), который в тестах показал огромное преимущество над существующими технологиями, побив результаты почти по всем пунктам.

---

Интервью / Илья Дронов: как LiveJournal борется со спамом

2011-07-14 15:32:21 (читать в оригинале)

На вопросы хабралюдей и ЖЖ-юзеров отвечает Илья Дронов, директор по развитию продуктов SUP. Почти все вопросы интервью — о плохом качестве работы Livejournal, засилье спама и отсутствии нужного функционала.

— Почему вы так плохо боретесь со спамом? Если дать людям возможность самим банить пользователей, будет гораздо проще и лучше всем. Или, например, можно банить по IP.
— На данный момент у пользователей уже есть возможности банить других пользователей в своем журнале, но это обходится роботами путём заведения большого количества аккаунтов и использования правила «один комментарий на один дневник». Недавно мы расширили эту возможность путём распространения подобного списка на всех взаимных друзей: если несколько ваших взаимных друзей забанят конкретного пользователя за спам, то этот пользователь вреда вам уже принести не сможет. Естественно, это касается только бана за спам.

Что касается IP-адреса — такой механизм уже имеется и доступен членам Конфликтной комиссии, но мы стараемся его применять как можно реже по двум причинам: 1) IP-адрес сменить очень просто, так как публичных прокси-серверов очень много; 2) велика вероятность заблокировать IP-адрес какого-нибудь публичного IP, с которого в LiveJournal заходит множество обычных пользователей. Не говоря уже о том, что есть страны, в которых LiveJournal закрыт, и они просто вынуждены пользоваться подобными системами.